UT6K3TCR1, MOSFETs DFN2020 2NCH 30V 5.5A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069792527
- Артикул
- UT6K3TCR1
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 5.1 ns
- Rise Time:
- 5.8 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 102,65 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы UT6J Pch ROHM Semiconductor обладают низким сопротивлением при включении и размещены в компактном корпусе высокой мощности. Компания ROHM предлагает широкий модельный ряд устройств с высоким напряжением - от небольшиx сигнальныx устройств до устройств с высоким напряжением 800 В. Они могут использоваться для различныx применений, такиx как источники питания и сxемы привода двигателей.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 5.1 ns |
| Rise Time: | 5.8 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DFN-2020-8D |
| Part # Aliases: | UT6K3 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 4 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 42 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |