Моя заявка (0)
UT6K3TCR, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062427001
Артикул
UT6K3TCR
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
5.1 ns, 5.1 ns
Rise Time:
5.8 ns, 5.8 ns
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 102,33 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы с низким напряжением возбуждения на затворе МОП-транзисторы ROHM с низким напряжением возбуждения на затворе имеют широкий диапазон типов приводов - от 0,9 до 10 вольт. Этот широкий диапазон типов приводов обеспечивает поддержку различныx применений - от слабого сигнала до высокой мощности. Эти МОП-транзисторы выпускаются в широком ассортименте размеров, которые не уступают по размеру микроминиатюрному корпусу (типоразмеры 0604). Такое разнообразие размеров позволяет экономить пространство в помещении. Эти МОП-транзисторы обеспечивают превосxодную скорость переключения и низкое сопротивление при включении.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:5.1 ns, 5.1 ns
Rise Time:5.8 ns, 5.8 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:HUML2020L-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:UT6K3
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:4 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:7.2 ns, 7.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:13 ns, 13 ns
Id - Continuous Drain Current:5.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:2.3 S, 2.3 S
Rds On - Drain-Source Resistance:30 mOhms, 30 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:500 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация