UT6K3TCR, MOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004638775
- Артикул
- UT6K3TCR
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 5.1 ns, 5.1 ns
- Rise Time:
- 5.8 ns, 5.8 ns
- Вес, г
- 0.77
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы с низким напряжением возбуждения на затворе МОП-транзисторы ROHM с низким напряжением возбуждения на затворе имеют широкий диапазон типов приводов - от 0,9 до 10 вольт. Этот широкий диапазон типов приводов обеспечивает поддержку различныx применений - от слабого сигнала до высокой мощности. Эти МОП-транзисторы выпускаются в широком ассортименте размеров, которые не уступают по размеру микроминиатюрному корпусу (типоразмеры 0604). Такое разнообразие размеров позволяет экономить пространство в помещении. Эти МОП-транзисторы обеспечивают превосxодную скорость переключения и низкое сопротивление при включении.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 5.1 ns, 5.1 ns |
| Rise Time: | 5.8 ns, 5.8 ns |
| Вес, г | 0.77 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | HUML2020L-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | UT6K3 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Power Dissipation N Channel | 2Вт |
| Power Dissipation P Channel | 2Вт |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.2 ns, 7.2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns, 13 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.3 S, 2.3 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 mOhms, 30 mOhms |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 5.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.03Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.03Ом |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | DFN2020 |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 5.5А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 5.5А |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.03Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |