Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024892992
Артикул
UT3N06G-AE3-R-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.05
Корпус
SOT23-3
Структура
MOSFET
Особенности
-
Цена по запросу
(от 84 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.05
КорпусSOT23-3
СтруктураMOSFET
Особенности-
Continuous Drain Current (Id)4A
Пороговое напряжение на затворе-0.4…-1 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)75mΩ@10V