US6M2GTR, MOSFETs 2.5v Nch+Pch 6pin TUMT6; w/G-S Diode
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004726516
- Артикул
- US6M2GTR
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 6 ns, 10 ns
- Rise Time:
- 9 ns, 8 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 86,87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые МОП-транзисторы ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный типоразмер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 6 ns, 10 ns |
| Rise Time: | 9 ns, 8 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TUMT-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TUMT-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 1.6 nC, 2.1 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns, 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns, 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A, 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 170 mOhms, 280 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V, 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V, 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |