Моя заявка (0)
US6J11TR, MOSFETs TRANS MOSFET PCH 12V 1.3A 6PIN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004638773
Артикул
US6J11TR
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Series:
US6J11
Fall Time:
9 ns
Rise Time:
10 ns
Цена по запросу
(от 70,87 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Кремниевые силовые МОП-транзисторы Полупроводниковые кремниевые силовые МОП-транзисторы ROHM отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный размер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Series:US6J11
Fall Time:9 ns
Rise Time:10 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:SOT-363-6
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:US6J11
Transistor Type:2 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:2.4 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +10 V
Typical Turn-On Delay Time:8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:30 ns
Id - Continuous Drain Current:1.3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:1.4 S
Rds On - Drain-Source Resistance:190 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В