UPA3753GR-E1-AX, MOSFETs POWER TRANSISTOR MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024603471
- Артикул
- UPA3753GR-E1-AX
- Бренд
- Renesas Technology
- Brand:
- Renesas Electronics
- Fall Time:
- 5.1 ns
- Rise Time:
- 3.7 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 238,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Renesas Electronics |
| Fall Time: | 5.1 ns |
| Rise Time: | 3.7 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Renesas Electronics |
| Package/Case: | SOP-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 13.4 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 850 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 56 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |