UMZ1NT1G, Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001215767
- Артикул
- UMZ1NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 1.25 mm
- Height
- 0.9 mm
- Length
- 2 mm
Цена по запросу
(от 27 ₽)
Минимальный заказ: 1200 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 1.25 mm |
| Height | 0.9 mm |
| Length | 2 mm |
| Series | UMZ1N |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory | Transistors |
| Unit Weight | 0.000988 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
| Configuration | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-70-6 |
| Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 187 mW |
| Gain Bandwidth Product FT | 114 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Continuous Collector Current | 0.2 A |
| Maximum DC Collector Current | 0.2 A |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 200 |
| DC Ток Коллектора | 200мА |
| DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.25 V |
| Рассеиваемая Мощность | 250мВт |
| Полярность Транзистора | NPN, PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-70 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |