UMZ1N, 100nA 50V 200mW 120@1mA,6V 150mA 1 NPN,1 PNP +150-@(Tj) SOT-363 Bipolar Transistors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015807506
- Артикул
- UMZ1N
- Бренд
- YANGJIE
- Вес, г
- 0.03
- Корпус
- SOT-363
- Transistor Type
- NPN+PNP
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 12 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
50 В 150 МВт 120 при 1 мА, 6 В 150 мА NPN+ PNP биполярные транзисторы SOT-363 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| Корпус | SOT-363 |
| Transistor Type | NPN+PNP |
| Структура | npn |
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transition Frequency (fT) | 180MHz;140MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@1mA, 6V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@5mA, 50mA;500mV@5mA, 50mA |