UMX1NTN, Bipolar Transistor Array, Dual, Dual NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8458045865
- Артикул
- UMX1NTN
- Бренд
- Rohm
- I(C)
- 0.15 A
- RoHS
- Details
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Width
- 1.25 mm
Цена по запросу
(от 46 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| I(C) | 0.15 A |
| RoHS | Details |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Width | 1.25 mm |
| Height | 0.9 mm |
| Length | 2 mm |
| P(tot) | 0.15 W |
| Series | UMX1N |
| V(CBO) | 60 V |
| V(CEO) | 50 V |
| Package | SOT363 |
| Packaging | Reel |
| Automotive | NO |
| Вес, г | 0.14 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Current gain | 120 |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Polarisation | NPN |
| Корпус | sot-363(umt-6) |
| Configuration | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-363-6 |
| Transistor Type | 2 NPNпј€Doubleпј‰ |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | 2 x npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 150mW |
| DC Current Gain hFE Max | 560 |
| Gain Bandwidth Product fT | 180 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Continuous Collector Current | 150 mA |
| Maximum DC Collector Current | 150mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 120 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.15 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.15 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 120…260 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 180 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 60 |