Моя заявка (0)

UMT3904T106, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-323, Surface Mount

UMT3904T106, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-323, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8186520749
Артикул
UMT3904T106
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Вес, г
0.01
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 100 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы NPN SOT-323 мощностью 40 В 200 МВт при 10 мА, 1 В 200 мА - BJT ROHS

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусsot-323
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:SOT-323-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:UMT3904
Transistor TypeNPN
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Operating Temperature-
Collector Current (Ic)200mA
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)200mW
Pd - Power Dissipation:200 mW
DC Current Gain hFE Max:300
Transition Frequency (fT)300MHz
Gain Bandwidth Product fT:300 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@10mA, 1V
Collector- Base Voltage VCBO:60 V
Continuous Collector Current:200 mA
Maximum DC Collector Current:200 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:40
Collector Cut-Off Current (Icbo)50nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:300 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)40V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@50mA, 5mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)200 mA
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В40

Техническая документация