UMT2907AT106, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014890006
- Артикул
- UMT2907AT106
- Бренд
- Rohm
- RoHS
- Details
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Width
- 1.25 mm
- Height
- 0.8 mm
Цена по запросу
(от 4,57 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 60V 0.6A
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Width | 1.25 mm |
| Height | 0.8 mm |
| Length | 2 mm |
| Series | UMT2907A |
| Packaging | Reel |
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 2 mm |
| Серия | UMT2907A |
| Power - Max | 200 mW |
| Unit Weight | 0.000988 oz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Высота | 0.8 mm |
| Ширина | 1.25 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-323-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Pd - Power Dissipation | 0.2 W |
| DC Current Gain hFE Max | 300 |
| Supplier Device Package | UMT3 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 200 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | -60 V |
| Continuous Collector Current | -0.6 A |
| Maximum DC Collector Current | 0.6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 50 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -60 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -1.6 V |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
| Другие названия товара № | UMT2907A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.6 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |