Моя заявка (0)

UMT2222AT106, 100nA 40V 200mW 100@150mA,10V 600mA 300MHz 1V@500mA,50mA NPN +150-@(Tj) UMT3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

UMT2222AT106, 100nA 40V 200mW 100@150mA,10V 600mA 300MHz 1V@500mA,50mA NPN +150-@(Tj) UMT3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015762178
Артикул
UMT2222AT106
Бренд
Rohm
RoHS
Details
Brand
ROHM Semiconductor
Width
1.25 mm
Height
0.8 mm
Цена по запросу
(от 8,10 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

100nA 40 В 200 МВт, 100 при 150 мА, 10 В 600 мА, 300 МГц, 1 В 500 мА, 50 мА, NPN +150-@ (Tj) биполярные транзисторы UMT3 - BJT ROHS

Технические параметры

RoHSDetails
BrandROHM Semiconductor
Width1.25 mm
Height0.8 mm
Length2 mm
SeriesUMT2222A
PackagingCut Tape or Reel
Вес, г0.04
SubcategoryTransistors
Unit Weight0.00709 oz
ManufacturerROHM Semiconductor
Product TypeBJTs-Bipolar Transistors
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-323-3
Part # AliasesUMT2222A
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation200 mW
DC Current Gain HFE Max300
Gain Bandwidth Product FT300 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO6 V
Collector- Base Voltage VCBO75 V
Continuous Collector Current0.6 A
Maximum DC Collector Current0.6 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
DC Collector/Base Gain Hfe Min35
Collector- Emitter Voltage VCEO Max40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1 V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)600
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц300

Техническая документация