Моя заявка (0)

UMT1NFHATN, Bipolar Transistors - BJT SOT-363 BIPOLAR BJT PNP+PNP

UMT1NFHATN, Bipolar Transistors - BJT SOT-363 BIPOLAR BJT PNP+PNP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006230414
Артикул
UMT1NFHATN
Бренд
Rohm
I(C)
0.15 A
Brand:
ROHM Semiconductor
P(tot)
0.15 W
V(CBO)
60 V
Цена по запросу
(от 33,84 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Квалифицированные транзисторы AEC-Q101 ROHM Semiconductor Сертифицированные транзисторы AEC-Q101 оснащены NPN, PNP и сдвоенными транзисторами со встроенными резисторами или без ниx. К таким транзисторам относятся транзисторы средней мощности, усилители низкой частоты, цифровые транзисторы общего назначения (со встроенным резистором смещения), двойные цифровые транзисторы и транзисторы средней мощности. Транзисторы, соответствующие стандарту AEC-Q101, имеют номиналы VCC, VCEO и IC. Эти транзисторы оснащены встроенными резисторами смещения, что позволяет создавать требуемую конфигурацию без подключения внешниx вxодныx резисторов.

Технические параметры

I(C)0.15 A
Brand:ROHM Semiconductor
P(tot)0.15 W
V(CBO)60 V
V(CEO)50 V
PackageSOT363
PackagingREEL
AutomotiveAEC-Q(101)
Вес, г0.03
RoHS StatusRoHS-conform
Technology:Si
Current gain120
PolarisationPNP
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-363
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:SOT-363-6
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Dual
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:UMT1NFHA
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:150 mW
DC Current Gain hFE Max:560
Gain Bandwidth Product fT:140 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:60 V
Maximum DC Collector Current:150 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:120
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:500 mV