Моя заявка (0)

UMH4NFHATN, Bipolar Transistors - BJT Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in), NPN+NPN, SOT-363

UMH4NFHATN, Bipolar Transistors - BJT Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in), NPN+NPN, SOT-363

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062471123
Артикул
UMH4NFHATN
Бренд
Rohm
Вес, г
1.96
Корпус
SOT-363
Структура
npn
Технология
Si
Цена по запросу
(от 36,04 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL NPN+NPN

Технические параметры

Вес, г1.96
КорпусSOT-363
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-363-6
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности150 mW
Другие названия товара №UMH4NFHA
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер300 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.600
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)250 MHz

Техническая документация