Моя заявка (0)

UMD6NFHATR, Bipolar Transistors - BJT NPN+PNP, SOT-363, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)

UMD6NFHATR, Bipolar Transistors - BJT NPN+PNP, SOT-363, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062785857
Артикул
UMD6NFHATR
Бренд
Rohm
Вес, г
0.01
Корпус
SOT-363
Структура
npn
Технология
Si
Цена по запросу
(от 76,70 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP+NPN DIGITAL TRANS

Технические параметры

Вес, г0.01
КорпусSOT-363
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-363-6
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN, PNP
Pd - рассеивание мощности150 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V, 5 V
Непрерывный коллекторный ток100 mA, 100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V, 50 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V, 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер300 V, 300 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.600
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)250 MHz

Техническая документация