Моя заявка (0)

UMB3NFHATN, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6

UMB3NFHATN, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064100507
Артикул
UMB3NFHATN
Бренд
Rohm
Вес, г
0.05
Структура
pnp
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 26,02 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP+PNP SOT-363 4.7kO Input Resist

Технические параметры

Вес, г0.05
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-363-6
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности150 mW
Другие названия товара №UMB3NFHA
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер300 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.600
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц250
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)250 MHz

Техническая документация