Моя заявка (0)

UMB2NTN, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Dual, Dual PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm

UMB2NTN, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Dual, Dual PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8897521946
Артикул
UMB2NTN
Бренд
Rohm
Вес, г
0.035
Длина:
2 mm
Серия:
UMB2N
Высота:
0.9 mm
Цена по запросу
(от 66 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DUAL PNP 50V 30MA

Технические параметры

Вес, г0.035
Длина:2 mm
Серия:UMB2N
Высота:0.9 mm
Ширина:1.25 mm
Структураpnp
Вид монтажа:SMD/SMT
Тип продукта:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Конфигурация:Dual
Подкатегория:Transistors
Производитель:ROHM Semiconductor
Торговая марка:ROHM Semiconductor
Упаковка / блок:TUMT-6
Полярность транзистора:PNP
Pd - рассеивание мощности:150 mW
Другие названия товара №:UMB2N
Размер фабричной упаковки:3000
Непрерывный коллекторный ток:-30 mA
Типичное входное сопротивление:47 kOhms
Минимальная рабочая температура:-55 C
Максимальная рабочая температура:+150 C
Пиковый постоянный ток коллектора:-100 mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:-50 V
Типичный коэффициент деления резистора:1
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:68
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):68
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация