UM6K33NTN, Транзистор: N-MOSFET x2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018754241
- Артикул
- UM6K33NTN
- Бренд
- Rohm
- Type
- 2 N-Channel
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.1
- FET Feature
- Logic Level Gate, 1.2V Drive
Цена по запросу
(от 32 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
50 В 200 мА 2.2Ohm@200mA,4.5 В 120 МВт 1 В при 1 мА 2 N-канальныx МОП-транзистора SOT-363 ROHS
Технические параметры
| Type | 2 N-Channel |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.1 |
| FET Feature | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Power - Max | 120mW |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 120mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Особенности | - |
| Supplier Device Package | UMT6 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 25pF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 200mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.2Ω@200mA, 4.5V |