UM6K1NTN, МОП-Транзистор 30 В, 100 мА, 8-4 В, 10 мА, 150мВт, 1,5 В, 100мкА, 2 N-канальных МОП-транзистора UMT5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015807047
- Артикул
- UM6K1NTN
- Бренд
- Rohm
- Type
- 2 N-Channel
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Product:
- MOSFET Small Signals
Цена по запросу
(от 11,75 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 100 мА при 8 Ом при 4 В, 10 мА при 150 МВт 1.5V@100uA 2 N-канальныx МОП-транзистора SOT-363 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | 2 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 80 ns |
| Rise Time: | 35 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | UM6K1N |
| Transistor Type: | 2 N-Channel MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 13pF@5V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 100mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8Ω@4V, 10mA |