UM6J1NTN, Транзистор: P-MOSFET x2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015755678
- Артикул
- UM6J1NTN
- Бренд
- Rohm
- Width
- 1.35mm
- Series
- UM6J1N
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 17,67 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 1.35mm |
| Series | UM6J1N |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-363 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Dual Base |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.4 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@1mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.14 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |