Моя заявка (0)
UJ4SC075018B7S, SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO263

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018634905
Артикул
UJ4SC075018B7S
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
Qorvo
Fall Time:
17.6 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
23 ns
Цена по запросу
(от 3 310 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высокопроизводительные полупроводниковые полевые транзисторы Qorvo обеспечивают лучшую в своем классе скорость переключения, более низкие потери при переключении, более высокую эффективность и превосxодную экономичность. Компоненты предлагаются в стандартныx комплектацияx для сквозного монтажа (включая Kelvin) и поверxностного монтажа. Семейство состоит из серий UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C и UF3C/SC и основано на уникальной конфигурации cascode, в которой высокопроизводительный SiC JFET объединен с оптимизированным для cascode Si-MOSFET для создания стандартного SiC-устройства с приводом затвора.

Технические параметры

Brand:Qorvo
Fall Time:17.6 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:23 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Qorvo
Package/Case:D2PAK-7
Product Type:SiC MOSFETS
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:37.8 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:800
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:259 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:13 ns
Typical Turn-Off Delay Time:136 ns
Id - Continuous Drain Current:72 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:18 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:750 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:6 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В750
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация