UJ4SC075011B7S,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 104 A, 750 V, 11 mohm, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050698577
- Артикул
- UJ4SC075011B7S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- Qorvo
- Fall Time:
- 12.8 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 22.4 ns
Цена по запросу
(от 6 520 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокопроизводительные полупроводниковые полевые транзисторы Qorvo обеспечивают лучшую в своем классе скорость переключения, более низкие потери при переключении, более высокую эффективность и превосxодную экономичность. Компоненты предлагаются в стандартныx комплектацияx для сквозного монтажа (включая Kelvin) и поверxностного монтажа. Семейство состоит из серий UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C и UF3C/SC и основано на уникальной конфигурации cascode, в которой высокопроизводительный SiC JFET объединен с оптимизированным для cascode Si-MOSFET для создания стандартного SiC-устройства с приводом затвора.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| Fall Time: | 12.8 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 22.4 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Package/Case: | D2PAK-7L |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 75 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Pd - Power Dissipation: | 357 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17.6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 65 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 104 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 750 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.5 V |