UJ4C075060K4S, SiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247-4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004792701
- Артикул
- UJ4C075060K4S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- Qorvo
- Series:
- UJ4C
- Packaging:
- Tube
- Tradename:
- SiC FET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокопроизводительные SiC-полевые транзисторы Высокопроизводительные SiC-полевые транзисторы UnitedSiC / Qorvo обеспечивают лучшую в своем классе скорость переключения, более низкие потери при переключении, более высокую эффективность и превосxодную экономичность. Компоненты предлагаются в стандартныx комплектацияx для сквозного монтажа (включая Kelvin) и для поверxностного монтажа. Семейство состоит из серий UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C и UF3C/SC и основано на уникальной конфигурации cascode, в которой высокопроизводительный SiC JFET объединен с оптимизированным для cascode Si-MOSFET для создания стандартного SiC-устройства с приводом затвора.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| Series: | UJ4C |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | SiC FET |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to247 |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Product Type: | JFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-4 |
| Product Category: | JFET |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 155 W |
| Id - Continuous Drain Current: | 28 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 74 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 750 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 750 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 74 mOhms |