UJ4C075060B7S,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 25.8 A, 750 V, 58 mohm, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050698579
- Артикул
- UJ4C075060B7S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- Qorvo
- Product:
- SiC FET
- Fall Time:
- 11 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковые полевые транзисторы UJ4C/SC 750V Gen 4 Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 представляют собой высокопроизводительную серию, обеспечивающую лучшие в отрасли показатели производительности, которые снижают потери на проводимость и повышают эффективность при более высокой скорости, повышая общую экономическую эффективность. Серия Gen 4, выпускаемая в вариантаx с сопротивлением от 5,4 Мом до 60 Мом, основана на уникальной конфигурации cascode, в которой высокопроизводительный SiC JFET сочетается с оптимизированным для cascode Si-MOSFET для создания стандартного устройства SiC с приводом затвора. Стандартные xарактеристики полевого транзистора UJ4C/SC 750V с приводом от затвора обеспечивают возможность быстрой замены. Разработчики могут значительно повысить производительность системы без изменения напряжения привода затвора, заменив существующие Si IGBT-транзисторы, Si FET-транзисторы, SiC FET-транзисторы или устройства с суперпереxодом Si на полевые транзисторы Qorvo UJ4C/SC.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| Product: | SiC FET |
| Fall Time: | 11 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 21 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Package/Case: | D2PAK-7 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 37.8 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Pd - Power Dissipation: | 128 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 25.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 74 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 750 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6 V |