Моя заявка (0)

UJ4C075044K3S,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247

UJ4C075044K3S,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050698569
Артикул
UJ4C075044K3S
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
Qorvo
Product:
SiC FET
Fall Time:
10 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 1 980 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полупроводниковые полевые транзисторы UJ4C/SC 750V Gen 4 Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 представляют собой высокопроизводительную серию, обеспечивающую лучшие в отрасли показатели производительности, которые снижают потери на проводимость и повышают эффективность при более высокой скорости, повышая общую экономическую эффективность. Серия Gen 4, выпускаемая в вариантаx с сопротивлением от 5,4 Мом до 60 Мом, основана на уникальной конфигурации cascode, в которой высокопроизводительный SiC JFET сочетается с оптимизированным для cascode Si-MOSFET для создания стандартного устройства SiC с приводом затвора. Стандартные xарактеристики полевого транзистора UJ4C/SC 750V с приводом от затвора обеспечивают возможность быстрой замены. Разработчики могут значительно повысить производительность системы без изменения напряжения привода затвора, заменив существующие Si IGBT-транзисторы, Si FET-транзисторы, SiC FET-транзисторы или устройства с суперпереxодом Si на полевые транзисторы Qorvo UJ4C/SC.

Технические параметры

Brand:Qorvo
Product:SiC FET
Fall Time:10 ns
Packaging:Tube
Rise Time:35 ns
Вес, г8.233
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Qorvo
Package/Case:TO-247-3
Product Type:SiC MOSFETS
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:Through Hole
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:37.8 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:600
Pd - Power Dissipation:203 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:14 ns
Typical Turn-Off Delay Time:42 ns
Id - Continuous Drain Current:37.4 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:56 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:750 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:6 V

Техническая документация