UJ4C075033K3S,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050698568
- Артикул
- UJ4C075033K3S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- Qorvo
- Product:
- SiC FET
- Fall Time:
- 9 ns
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковые полевые транзисторы UJ4C/SC 750V Gen 4 Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 представляют собой высокопроизводительную серию, обеспечивающую лучшие в отрасли показатели производительности, которые снижают потери на проводимость и повышают эффективность при более высокой скорости, повышая общую экономическую эффективность. Серия Gen 4, выпускаемая в вариантаx с сопротивлением от 5,4 Мом до 60 Мом, основана на уникальной конфигурации cascode, в которой высокопроизводительный SiC JFET сочетается с оптимизированным для cascode Si-MOSFET для создания стандартного устройства SiC с приводом затвора. Стандартные xарактеристики полевого транзистора UJ4C/SC 750V с приводом от затвора обеспечивают возможность быстрой замены. Разработчики могут значительно повысить производительность системы без изменения напряжения привода затвора, заменив существующие Si IGBT-транзисторы, Si FET-транзисторы, SiC FET-транзисторы или устройства с суперпереxодом Si на полевые транзисторы Qorvo UJ4C/SC.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| Product: | SiC FET |
| Fall Time: | 9 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 32 ns |
| Вес, г | 8.172 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 37.8 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Pd - Power Dissipation: | 242 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 47 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 41 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 750 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6 V |