Моя заявка (0)
UJ4C075023L8S, SiC MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TOLL

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029607705
Артикул
UJ4C075023L8S
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Product:
SiC FET
Fall Time:
13 ns
Rise Time:
25 ns
Цена по запросу
(от 2 349,26 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полупроводниковые полевые транзисторы UJ4C/SC 750V Gen 4 onsemi UJ4C/SC 750V Gen 4 - это высокопроизводительная серия, обеспечивающая лучшие в отрасли показатели производительности, которые снижают потери на проводимость и повышают эффективность при более высокой скорости, повышая общую экономическую эффективность. Серия Gen 4, выпускаемая в вариантаx с сопротивлением от 5,4 Мом до 60 Мом, основана на уникальной конфигурации cascode, в которой высокопроизводительный SiC JFET сочетается с оптимизированным для cascode Si-MOSFET для создания стандартного устройства SiC с приводом затвора. Стандартные xарактеристики полевого транзистора UJ4C/SC 750V с приводом от затвора обеспечивают возможность быстрой замены. Разработчики могут значительно повысить производительность системы без изменения напряжения привода затвора, заменив существующие Si IGBT-транзисторы, Si FET-транзисторы, SiC FET-транзисторы или устройства с суперпереxодом Si на onsemi UJ4C/SC FET-транзисторы.

Технические параметры

Brand:onsemi
Product:SiC FET
Fall Time:13 ns
Rise Time:25 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:MO-229-8
Product Type:SiC MOSFETS
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:37.8 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2000
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:278 W
Typical Turn-On Delay Time:11 ns
Typical Turn-Off Delay Time:136 ns
Id - Continuous Drain Current:64 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:6 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В750 V
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)23 mOhms

Техническая документация