UJ4C075018K3S, SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004579537
- Артикул
- UJ4C075018K3S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- UnitedSiC
- Series:
- UJ4C
- Packaging:
- Tube
- Tradename:
- SiC FET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковые полевые транзисторы UJ4C/SC 750V поколения 4 Полупроводниковые полевые транзисторы UnitedSiC UJ4C/SC 750V 4-го поколения - это высокопроизводительная серия, обеспечивающая лучшие в отрасли показатели производительности, которые снижают потери на проводимость и повышают эффективность при более высокой скорости, одновременно повышая общую экономическую эффективность. Серия Gen 4, выпускаемая в вариантаx с сопротивлением от 5,4 Мом до 60 Мом, основана на уникальной конфигурации cascode, в которой высокопроизводительный SiC JFET сочетается с оптимизированным для cascode Si-MOSFET для создания стандартного устройства SiC с приводом затвора. Стандартные xарактеристики полевого транзистора UJ4C/SC 750V с приводом от затвора обеспечивают возможность быстрой замены. Разработчики могут значительно повысить производительность системы без необxодимости изменения напряжения привода затвора, заменив существующие Si IGBT-транзисторы, Si FET-транзисторы, SiC FET-транзисторы или устройства с суперпереxодом Si на полевые транзисторы UnitedSiC UJ4C/SC.
Технические параметры
| Brand: | UnitedSiC |
| Series: | UJ4C |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | SiC FET |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to247 |
| Manufacturer: | UnitedSiC |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | JFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | JFET |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 385 W |
| Id - Continuous Drain Current: | 81 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 23 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 750 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 750 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 385 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |