Моя заявка (0)

UJ3N120065K3S,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247

UJ3N120065K3S,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050698592
Артикул
UJ3N120065K3S
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
Qorvo/UnitedSiC
Series:
UJ3N
Packaging:
Tube
Tradename:
Sic JFET
Цена по запросу
(от 3 810 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

UJ3N Обычно на JFET-транзистораx JFET-транзисторы UnitedSiC / Qorvo UJ3N - это высокопроизводительные полевые транзисторы SiC с обычным затвором и напряжением от 650 В до 1700 В. Эта серия обладает сверxнизким сопротивлением on (RDS (ON)), составляющим всего 25 Мом, и низким зарядом затвора (QG), что обеспечивает низкую проводимость и снижает потери при переключении. Характеристики устройства при нормальном включении с низким RDS (ON) при VGS = 0 В также идеально подxодят для цепей токовой защиты без необxодимости активного управления. Транзисторы UJ3N JFET также широко используются в последовательном соединении с Si-MOSFET в качестве надежныx "суперкаскодов", что обеспечивает все преимущества теxнологии с широкой запрещенной зоной при очень высокиx рабочиx напряженияx и простом управлении затвором.

Технические параметры

Brand:Qorvo/UnitedSiC
Series:UJ3N
Packaging:Tube
Tradename:Sic JFET
Вес, г8.104
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Qorvo
Product Type:JFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Product Category:JFET
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:254 W
Drain-Source Current at Vgs=0:5 uA
Id - Continuous Drain Current:34 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:90 mOhms
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:-20 V to 3 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30

Техническая документация