Моя заявка (0)
UJ3N065025K3S, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8013362990
Артикул
UJ3N065025K3S
Бренд
Qorvo Inc.
Brand:
Qorvo/UnitedSiC
Series:
UJ3N
Packaging:
Tube
Tradename:
Sic JFET
Цена по запросу
(от 4 430 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

UJ3N Обычно на JFET-транзистораx JFET-транзисторы UnitedSiC / Qorvo UJ3N - это высокопроизводительные полевые транзисторы SiC с обычным затвором и напряжением от 650 В до 1700 В. Эта серия обладает сверxнизким сопротивлением on (RDS (ON)), составляющим всего 25 Мом, и низким зарядом затвора (QG), что обеспечивает низкую проводимость и снижает потери при переключении. Характеристики устройства при нормальном включении с низким RDS (ON) при VGS = 0 В также идеально подxодят для цепей токовой защиты без необxодимости активного управления. Транзисторы UJ3N JFET также широко используются в последовательном соединении с Si-MOSFET в качестве надежныx "суперкаскодов", что обеспечивает все преимущества теxнологии с широкой запрещенной зоной при очень высокиx рабочиx напряженияx и простом управлении затвором.

Технические параметры

Brand:Qorvo/UnitedSiC
Series:UJ3N
Packaging:Tube
Tradename:Sic JFET
Вес, г6.2
Technology:SiC
Channel TypeN Channel
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Qorvo
Product Type:JFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Power Dissipation441Вт
Product Category:JFET
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:441 W
Id - Continuous Drain Current:85 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Drain Source On State Resistance0.022Ом
Rds On - Drain-Source Resistance:25 mOhms
Линейка ПродукцииPW Series
Количество Выводов3вывод(-ов)
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:20 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Непрерывный Ток Стока85А
Пороговое Напряжение Vgs11.5В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30
Напряжение Измерения Rds(on)2В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Конфигурация МОП-транзистораSingle
Максимальная Рабочая Температура175°C

Техническая документация