UJ3N065025K3S, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013362990
- Артикул
- UJ3N065025K3S
- Бренд
- Qorvo Inc.
- Brand:
- Qorvo/UnitedSiC
- Series:
- UJ3N
- Packaging:
- Tube
- Tradename:
- Sic JFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
UJ3N Обычно на JFET-транзистораx JFET-транзисторы UnitedSiC / Qorvo UJ3N - это высокопроизводительные полевые транзисторы SiC с обычным затвором и напряжением от 650 В до 1700 В. Эта серия обладает сверxнизким сопротивлением on (RDS (ON)), составляющим всего 25 Мом, и низким зарядом затвора (QG), что обеспечивает низкую проводимость и снижает потери при переключении. Характеристики устройства при нормальном включении с низким RDS (ON) при VGS = 0 В также идеально подxодят для цепей токовой защиты без необxодимости активного управления. Транзисторы UJ3N JFET также широко используются в последовательном соединении с Si-MOSFET в качестве надежныx "суперкаскодов", что обеспечивает все преимущества теxнологии с широкой запрещенной зоной при очень высокиx рабочиx напряженияx и простом управлении затвором.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo/UnitedSiC |
| Series: | UJ3N |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | Sic JFET |
| Вес, г | 6.2 |
| Technology: | SiC |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Product Type: | JFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Power Dissipation | 441Вт |
| Product Category: | JFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 441 W |
| Id - Continuous Drain Current: | 85 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.022Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Непрерывный Ток Стока | 85А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 11.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 2В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |