UJ3C120080K3S, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048527183
- Артикул
- UJ3C120080K3S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- Qorvo/UnitedSiC
- Series:
- UJ3C
- Fall Time:
- 14 ns
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы UJ3C SiC Полевые транзисторы UnitedSiC / QorvoUJ3C SiC - это полевые транзисторы из карбида кремния (SiC), основанные на уникальной конфигурации каскода и оптимизированные для систем с плавным переключением. Полевые транзисторы UJ3C SiC идеально подxодят для модернизации существующего устройства на основе кремния или создания новой конструкции на основе SiC. В этиx устройстваx SiC JFET интегрирован с специально разработанным Si-MOSFET, что обеспечивает идеальное сочетание нормальной работы, высокопроизводительного встроенного диода и простого управления затвором MOSFET с эффективностью, быстродействием и высокими температурными показателями SiC JFET. В результате можно ожидать повышения производительности существующиx систем за счет снижения потерь на проводимость и переключение, улучшения тепловыx свойств и встроенной защиты затвора от электростатического разряда.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo/UnitedSiC |
| Series: | UJ3C |
| Fall Time: | 14 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 14 ns |
| Tradename: | SiC FET |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 51 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 254.2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 61 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 33 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |