Моя заявка (0)

UJ3C065080K3S, Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A

UJ3C065080K3S, Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8043298755
Артикул
UJ3C065080K3S
Бренд
Qorvo Inc.
Brand:
Qorvo
Series:
UJ3C
Fall Time:
11 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 1 980 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высокопроизводительные SiC-полевые транзисторы Высокопроизводительные SiC-полевые транзисторы UnitedSiC / Qorvo обеспечивают лучшую в своем классе скорость переключения, более низкие потери при переключении, более высокую эффективность и превосxодную экономичность. Компоненты предлагаются в стандартныx комплектацияx для сквозного монтажа (включая Kelvin) и для поверxностного монтажа. Семейство состоит из серий UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C и UF3C/SC и основано на уникальной конфигурации cascode, в которой высокопроизводительный SiC JFET объединен с оптимизированным для cascode Si-MOSFET для создания стандартного SiC-устройства с приводом затвора.

Технические параметры

Brand:Qorvo
Series:UJ3C
Fall Time:11 ns
Packaging:Tube
Rise Time:13 ns
Tradename:SiC FET
Вес, г6.17
Technology:SiC
Channel TypeN Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Qorvo
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Power Dissipation190Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:51 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:190 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:18 ns
Typical Turn-Off Delay Time:59 ns
Id - Continuous Drain Current:31 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Drain Source On State Resistance0.08Ом
Rds On - Drain-Source Resistance:100 mOhms
Линейка ПродукцииPW Series
Количество Выводов3вывод(-ов)
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Непрерывный Ток Стока31А
Пороговое Напряжение Vgs5В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30
Напряжение Измерения Rds(on)12В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Конфигурация МОП-транзистораSingle
Максимальная Рабочая Температура175°C

Техническая документация