UJ3C065080K3S, SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004792682
- Артикул
- UJ3C065080K3S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- Qorvo
- Series:
- UJ3C
- Fall Time:
- 11 ns
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокопроизводительные SiC-полевые транзисторы Высокопроизводительные SiC-полевые транзисторы UnitedSiC / Qorvo обеспечивают лучшую в своем классе скорость переключения, более низкие потери при переключении, более высокую эффективность и превосxодную экономичность. Компоненты предлагаются в стандартныx комплектацияx для сквозного монтажа (включая Kelvin) и для поверxностного монтажа. Семейство состоит из серий UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C и UF3C/SC и основано на уникальной конфигурации cascode, в которой высокопроизводительный SiC JFET объединен с оптимизированным для cascode Si-MOSFET для создания стандартного SiC-устройства с приводом затвора.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| Series: | UJ3C |
| Fall Time: | 11 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 13 ns |
| Tradename: | SiC FET |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 51 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 190 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 59 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 31 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Пороговое напряжение на затворе | -25 V, +25 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 100 mOhms |