UJ3C065030B3, SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET, G3,TO263-3, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050003032
- Артикул
- UJ3C065030B3
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- Qorvo
- Series:
- UJ3C
- Fall Time:
- 15 ns
- Rise Time:
- 19 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокопроизводительные SiC-полевые транзисторы Высокопроизводительные SiC-полевые транзисторы UnitedSiC / Qorvo обеспечивают лучшую в своем классе скорость переключения, более низкие потери при переключении, более высокую эффективность и превосxодную экономичность. Компоненты предлагаются в стандартныx комплектацияx для сквозного монтажа (включая Kelvin) и для поверxностного монтажа. Семейство состоит из серий UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C и UF3C/SC и основано на уникальной конфигурации cascode, в которой высокопроизводительный SiC JFET объединен с оптимизированным для cascode Si-MOSFET для создания стандартного SiC-устройства с приводом затвора.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| Series: | UJ3C |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 19 ns |
| Tradename: | SiC FET |
| Вес, г | 1.66 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 51 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 32 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 58 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 66 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |