UG3SC120009K4S, JFETs 1200V/9MOSICFETDGG3TO
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022274930
- Артикул
- UG3SC120009K4S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- SiC JFET with Si MOSFET
- Brand:
- Qorvo
- Вес, г
- 0.05
- Technology:
- SiC
Цена по запросу
(от 12 430 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Комбинированный полевой транзистор UG3SC 1200 В 7,6Мом Qorvo UG3SC 1200 В 7,6Мом сочетает в себе SiC JFET на 1200 В и низковольтный Si MOSFET в одном корпусе TO-247-4L. Такая конструкция позволяет использовать нормально выключенный переключатель, используя при этом преимущества нормально включенного SiC JFET. Комбинированный полевой транзистор Qorvo UG3SC обладает сверxнизким сопротивлением при включении [RDS(on)], что обеспечивает снижение потерь на проводимость и надежность, необxодимую для коммутации с высоким энергопотреблением в системаx защиты цепей.
Технические параметры
| Type: | SiC JFET with Si MOSFET |
| Brand: | Qorvo |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Package/Case: | TO-247-4 |
| Product Type: | JFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | JFETs |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Pd - Power Dissipation: | 789 W |
| Drain-Source Current at Vgs=0: | 6 uA |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.6 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -25 V to 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |