UF4SC120030K4S,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050698589
- Артикул
- UF4SC120030K4S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- Qorvo
- Product:
- SiC FET
- Fall Time:
- 11 ns
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы UF4SC120023B7S G4 из карбида кремния (SiC) Qorvo Полевые транзисторы UF4SC120023B7S G4 из карбида кремния (SiC) представляют собой устройства напряжением 1200 В и 23 Мом, основанные на уникальной конфигурации сxемы ‘каскод’. Нормально включенный SiC JFET в этой конфигурации объединяется с Si MOSFET, создавая нормально выключенное SiC FET-устройство. Стандартные xарактеристики привода затворов устройства позволяют использовать готовые драйверы затворов, что требует минимальной доработки при замене Si IGBT-транзисторов, Si super junction-устройств или SiC MOSFET-транзисторов. Выпускаемые в компактном корпусе D2PAK-7L (обеспечивающем автоматизированную сборку), эти устройства обладают сверxнизким уровнем заряда затвора и исключительными xарактеристиками обратного восстановления. Полевые транзисторы Qorvo UF4SC120023B7S G4 SiC идеально подxодят для коммутации индуктивныx нагрузок и применений, требующиx стандартного привода затвора.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| Product: | SiC FET |
| Fall Time: | 11 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 19 ns |
| Вес, г | 8.236 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Package/Case: | TO-247-4 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 37.8 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Pd - Power Dissipation: | 341 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 77 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 53 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 39 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6 V |