Моя заявка (0)
UF4SC120023K4S, SiC MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO24

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018658367
Артикул
UF4SC120023K4S
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
Qorvo
Product:
SiC FET
Fall Time:
13.6 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 5 050 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

QSPICE™ Simulator Qorvo QSPICE™ Simulator - это значительный шаг в развитии сxемотеxнического моделирования. QSPICE обеспечивает надежное силовое и аналоговое моделирование с высокой скоростью и точностью, а также возможность использования большого количества цифровой логики. Язык моделирования QSPICE был создан с учетом опыта работы над тысячами имитационныx моделей в смешанном режиме. Этот инструмент проектирования лицензирован для коммерческого и образовательного использования всеми желающими, его можно бесплатно скачать и использовать, а также он не имеет ограничений по функционалу.

Технические параметры

Brand:Qorvo
Product:SiC FET
Fall Time:13.6 ns
Packaging:Tube
Rise Time:24 ns
Вес, г8.21
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Корпусto247
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Qorvo
Package/Case:TO-247-4
Product Type:SiC MOSFETS
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:37.8 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:600
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:385 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:72 ns
Id - Continuous Drain Current:53 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:29 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:6 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В