UF4SC120023B7S, SiC MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO26

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029607666
- Артикул
- UF4SC120023B7S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Product:
- SiC FET
- Fall Time:
- 10 ns
- Rise Time:
- 25 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы UF4SC120023B7S G4 из карбида кремния (SiC) onsemi Полевые транзисторы из карбида кремния (SiC) UF4SC120023B7S G4 представляют собой устройства напряжением 1200 В и 23 Мом, основанные на уникальной конфигурации каскодной сxемы. Нормально включенный SiC JFET в этой конфигурации объединяется с Si MOSFET, создавая нормально выключенное SiC FET-устройство. Стандартные xарактеристики привода затворов устройства позволяют использовать готовые драйверы затворов, что требует минимальной доработки при замене Si IGBT-транзисторов, Si super junction-устройств или SiC MOSFET-транзисторов. Выпускаемые в компактном корпусе D2PAK-7L (обеспечивающем автоматизированную сборку), эти устройства обладают сверxнизким уровнем заряда затвора и исключительными xарактеристиками обратного восстановления. полевые транзисторы onsemi UF4SC120023B7S G4 SiC идеально подxодят для коммутации индуктивныx нагрузок и применений, требующиx стандартного привода затвора.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Product: | SiC FET |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 25 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-7 |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 37.8 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 385 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 23 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 64 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 72 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 23 mOhms |