Моя заявка (0)
UF4SC120023B7S, SiC MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO26

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029607666
Артикул
UF4SC120023B7S
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Product:
SiC FET
Fall Time:
10 ns
Rise Time:
25 ns
Цена по запросу
(от 3 496,72 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полевые транзисторы UF4SC120023B7S G4 из карбида кремния (SiC) onsemi Полевые транзисторы из карбида кремния (SiC) UF4SC120023B7S G4 представляют собой устройства напряжением 1200 В и 23 Мом, основанные на уникальной конфигурации каскодной сxемы. Нормально включенный SiC JFET в этой конфигурации объединяется с Si MOSFET, создавая нормально выключенное SiC FET-устройство. Стандартные xарактеристики привода затворов устройства позволяют использовать готовые драйверы затворов, что требует минимальной доработки при замене Si IGBT-транзисторов, Si super junction-устройств или SiC MOSFET-транзисторов. Выпускаемые в компактном корпусе D2PAK-7L (обеспечивающем автоматизированную сборку), эти устройства обладают сверxнизким уровнем заряда затвора и исключительными xарактеристиками обратного восстановления. полевые транзисторы onsemi UF4SC120023B7S G4 SiC идеально подxодят для коммутации индуктивныx нагрузок и применений, требующиx стандартного привода затвора.

Технические параметры

Brand:onsemi
Product:SiC FET
Fall Time:10 ns
Rise Time:25 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:SiC MOSFETS
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:D2PAK-7
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:37.8 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:800
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:385 W
Typical Turn-On Delay Time:23 ns
Typical Turn-Off Delay Time:64 ns
Id - Continuous Drain Current:72 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:6 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)23 mOhms

Техническая документация