UF4C120070K4S,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050698591
- Артикул
- UF4C120070K4S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- Qorvo
- Product:
- SiC FET
- Fall Time:
- 15 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 2 460 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
QSPICE™ Simulator Qorvo QSPICE™ Simulator - это значительный шаг в развитии сxемотеxнического моделирования. QSPICE обеспечивает надежное силовое и аналоговое моделирование с высокой скоростью и точностью, а также возможность использования большого количества цифровой логики. Язык моделирования QSPICE был создан с учетом опыта работы над тысячами имитационныx моделей в смешанном режиме. Этот инструмент проектирования лицензирован для коммерческого и образовательного использования всеми желающими, его можно бесплатно скачать и использовать, а также он не имеет ограничений по функционалу.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| Product: | SiC FET |
| Fall Time: | 15 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 33 ns |
| Вес, г | 7.938 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Cascode |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-4 |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Pd - Power Dissipation: | 217 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 167 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 27.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 91 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6 V |