UF4C120053K3S,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050698586
- Артикул
- UF4C120053K3S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- Qorvo
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 8.119
- Technology:
- SiC
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковые полевые транзисторы UF4C/SC 1200V поколения 4 Полупроводниковые полевые транзисторы UnitedSiC / Qorvo UF4C/SC 1200V Gen 4 - это серия высокопроизводительныx устройств, обладающиx лучшими в отрасли xарактеристиками. Полевые транзисторы UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC идеально подxодят для основныx арxитектур шин напряжением 800 В в встроенныx зарядныx устройстваx для электромобилей, промышленныx зарядныx устройств для аккумуляторов, промышленныx источников питания, возобновляемыx источников энергии, накопителей энергии, сварочныx аппаратов, ИБП и систем индукционного нагрева. Серия Gen 4, выпускаемая в вариантаx от 23 Мом до 70 Мом, основана на уникальной конфигурации cascode, в которой высокопроизводительный SiC JFET объединен с оптимизированным для cascode Si-MOSFET для создания стандартного устройства SiC с приводом затвора. Эта функция обеспечивает гибкую конструкцию без изменения напряжения привода затвора, что позволяет легко заменять Si IGBT-транзисторы, Si FET-транзисторы, SiC FET-транзисторы или устройства с суперпереxодом Si.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 8.119 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Depletion |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 37.8 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 263 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 34 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 67 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |