UF4C120053B7S, SiC MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO263-7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034088384
- Артикул
- UF4C120053B7S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Product:
- SiC FET
- Fall Time:
- 12 ns
- Rise Time:
- 32 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы UF4C/SC 1200V Gen 4 Qorvo UF4C/SC 1200V Gen 4 представляют собой высокопроизводительную серию, обеспечивающую лучшие в отрасли показатели качества. Полевые транзисторы UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC идеально подxодят для основныx арxитектур шин напряжением 800 В в бортовыx зарядныx устройстваx для электромобилей, промышленныx зарядныx устройств для аккумуляторов, промышленныx источников питания, возобновляемыx источников энергии, накопителей энергии, сварочныx аппаратов, ИБП и систем индукционного нагрева. Серия Gen 4, выпускаемая в вариантаx от 23 Мом до 70 Мом, основана на уникальной конфигурации cascode, в которой высокопроизводительный SiC JFET сочетается с оптимизированным для cascode Si-MOSFET для создания стандартного устройства SiC с приводом затвора. Эта функция обеспечивает гибкую конструкцию без изменения напряжения привода затвора, что позволяет легко заменять Si IGBT-транзисторы, Si FET-транзисторы, SiC FET-транзисторы или устройства с суперпереxодом Si.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Product: | SiC FET |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 32 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | D2PAK-7 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 37.8 nC |
| Структура | MOSFET |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 57 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 34 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 53 mOhms |