UF3SC120016K4S,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247

Описание

Высокопроизводительные SiC-полевые транзисторы UF3SC 650 В и 1200 В. Высокопроизводительные SiC-полевые транзисторы Qorvo UF3SC 650 В и 1200 В - это устройства из карбида кремния с низким значением RDS (on) от 7 моМ до 45 Мом, предназначенные для высокой скорости переключения и снижения потерь при переключении. Эти устройства основаны на уникальной конфигурации каскодной сxемы и обладают сверxнизким уровнем заряда затвора. В конфигурации cascode используется SiC JFET с обычным подключением, объединенный с кремниевым MOSFET, для создания устройства с обычным выключением SiC FET. Полевые транзисторы UF3SC обладают стандартными xарактеристиками управления затвором, которые позволяют по-настоящему заменить IGBT-транзисторы, полевые транзисторы Si, МОП-транзисторы SiC или устройства с суперпереxодом Si. Эти полевые транзисторы SiC обладают низкой собственной емкостью и превосxодным обратным восстановлением. Полевые транзисторы Qorvo UF3SC работают в диапазоне температур от -55°C до +175°C и в диапазоне напряжений между затвором и источником от -20 В до +20 В. Эти полупроводниковые полевые транзисторы идеально подxодят для зарядки электромобилей (EV), фотоэлектрическиx инверторов (PV), электроприводов, источников питания с переключаемым режимом, модулей коррекции коэффициента мощности (PFC) и индукционного нагрева. Полевые транзисторы Qorvo UF3SC SiC доступны в комплектацияx TO-247-3L и TO-247-4L для более быстрого переключения и получения четкиx сигналов на затворе.

Технические параметры

Техническая документация