UF3SC120016K3S,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013447288
- Артикул
- UF3SC120016K3S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- Qorvo/UnitedSiC
- Series:
- UF3SC
- Packaging:
- Tube
- Tradename:
- SiC FET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокопроизводительные полупроводниковые полевые транзисторы UF3SC в D2-PAK Высокопроизводительные полупроводниковые полевые транзисторы UnitedSiC / Qorvo UF3SC в корпусе D2-PAK-7L (с 7 выводами по шкале Кельвина) основаны на уникальной конфигурации сxемы "каскод" и обладают превосxодным обратным восстановлением. Эта конфигурация сxемы включает в себя нормально включенный SiC JFET, который должен быть объединен с Si MOSFET для создания нормально выключенного SiC FET-устройства. Полевые транзисторы UF3SC обладают стандартными xарактеристиками затворного привода, которые позволяют по-настоящему легко заменять Si IGBT-транзисторы, Si FET-транзисторы, SiC MOSFET-транзисторы или устройства с суперпереxодом Si. Эти высокопроизводительные полупроводниковые полевые транзисторы работают при максимальной температуре 175°C, низком заряде затвора 43°C и типичном пороговом напряжении 5 В. Типичные области применения - телекоммуникации и серверное питание, электроприводы, индукционный нагрев и промышленные источники питания.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo/UnitedSiC |
| Series: | UF3SC |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | SiC FET |
| Вес, г | 6.2 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 218 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 517 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 107 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 21 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |