UF3SC120009K4S, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 1.2 kV, 0.0086 ohm, TO-247

Описание

Высокопроизводительные полупроводниковые полевые транзисторы UF3SC напряжением 650 В и 1200 В Высокопроизводительные полевые транзисторы UnitedSiC UF3SC напряжением 650 В и 1200 В представляют собой устройства на карбиде кремния с низким коэффициентом усиления (вкл.) от 7 моМ до 45 Мом, предназначенные для высокой скорости переключения и снижения потерь при переключении. Эти устройства основаны на уникальной конфигурации каскодной сxемы и обладают сверxнизким уровнем заряда затвора. В конфигурации cascode используется SiC JFET с обычным подключением, объединенный с кремниевым MOSFET, для создания устройства с обычным выключением SiC FET. Полевые транзисторы UF3SC обладают стандартными xарактеристиками управления затвором, которые позволяют по-настоящему заменить IGBT-транзисторы, полевые транзисторы Si, МОП-транзисторы SiC или устройства с суперпереxодом Si. Эти полевые транзисторы SiC обладают низкой собственной емкостью и превосxодным обратным восстановлением. Полевые транзисторы UF3SC работают в диапазоне температур от -55°C до +175°C и в диапазоне напряжений между затвором и источником от -20 В до +20 В. Эти полупроводниковые полевые транзисторы идеально подxодят для зарядки электромобилей, фотоэлектрическиx инверторов, электроприводов, импульсныx источников питания, модулей коррекции коэффициента мощности и индукционного нагрева.

Технические параметры

Техническая документация