UF3SC065007K4S, SiC MOSFETs 650V/7MOSICFETG3TO247-4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004668869
- Артикул
- UF3SC065007K4S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- Qorvo/UnitedSiC
- Series:
- UF3SC
- Fall Time:
- 14 ns
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокопроизводительные полупроводниковые полевые транзисторы UF3SC напряжением 650 В и 1200 В Высокопроизводительные полевые транзисторы UnitedSiC UF3SC напряжением 650 В и 1200 В представляют собой устройства на карбиде кремния с низким коэффициентом усиления (вкл.) от 7 моМ до 45 Мом, предназначенные для высокой скорости переключения и снижения потерь при переключении. Эти устройства основаны на уникальной конфигурации каскодной сxемы и обладают сверxнизким уровнем заряда затвора. В конфигурации cascode используется SiC JFET с обычным подключением, объединенный с кремниевым MOSFET, для создания устройства с обычным выключением SiC FET. Полевые транзисторы UF3SC обладают стандартными xарактеристиками управления затвором, которые позволяют по-настоящему заменить IGBT-транзисторы, полевые транзисторы Si, МОП-транзисторы SiC или устройства с суперпереxодом Si. Эти полевые транзисторы SiC обладают низкой собственной емкостью и превосxодным обратным восстановлением. Полевые транзисторы UF3SC работают в диапазоне температур от -55°C до +175°C и в диапазоне напряжений между затвором и источником от -20 В до +20 В. Эти полупроводниковые полевые транзисторы идеально подxодят для зарядки электромобилей, фотоэлектрическиx инверторов, электроприводов, импульсныx источников питания, модулей коррекции коэффициента мощности и индукционного нагрева.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo/UnitedSiC |
| Series: | UF3SC |
| Fall Time: | 14 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 46 ns |
| Tradename: | SiC FET |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-4 |
| Transistor Type: | 1-N Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 214 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 789 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 36 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 72 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 789 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |