UF3N170400B7S, D2PAK-7 JFETs RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8051528604
- Артикул
- UF3N170400B7S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- Qorvo
- FET Type
- N-Channel
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 3 060 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
QSPICE™ Simulator Qorvo QSPICE™ Simulator - это значительный шаг в развитии сxемотеxнического моделирования. QSPICE обеспечивает надежное силовое и аналоговое моделирование с высокой скоростью и точностью, а также возможность использования большого количества цифровой логики. Язык моделирования QSPICE был создан с учетом опыта работы над тысячами имитационныx моделей в смешанном режиме. Этот инструмент проектирования лицензирован для коммерческого и образовательного использования всеми желающими, его можно бесплатно скачать и использовать, а также он не имеет ограничений по функционалу.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1 |
| Power - Max | 68 W |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | D2PAK-7 |
| Product Type: | JFETs |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK(7 Leads+Tab), TO-263CA |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | JFETs |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Resistance - RDS(On) | 500 mOhms |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Pd - Power Dissipation: | 68 W |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Current Drain (Id) - Max | 6.8 A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drain-Source Current at Vgs=0: | 2.2 uA |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 1700 V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 400 mOhms |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 2.2 µA @ 1700 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 100V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | 3 V, 20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.7 kV |