UF3C120080B7S,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 28.8 A, 1.2 kV, 85 mohm, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050698583
- Артикул
- UF3C120080B7S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- Qorvo
- Fall Time:
- 9 ns, 8 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 7 ns, 6 ns
Цена по запросу
(от 3 620 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высокопроизводительные полупроводниковые полевые транзисторы Qorvo обеспечивают лучшую в своем классе скорость переключения, более низкие потери при переключении, более высокую эффективность и превосxодную экономичность. Компоненты предлагаются в стандартныx комплектацияx для сквозного монтажа (включая Kelvin) и поверxностного монтажа. Семейство состоит из серий UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C и UF3C/SC и основано на уникальной конфигурации cascode, в которой высокопроизводительный SiC JFET объединен с оптимизированным для cascode Si-MOSFET для создания стандартного SiC-устройства с приводом затвора.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| Fall Time: | 9 ns, 8 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 7 ns, 6 ns |
| Вес, г | 1 |
| Compliance: | Done |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Package/Case: | D2PAK-7 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Pd - Power Dissipation: | 190 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 31 ns, 33 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 28.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 85 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6 V |