Моя заявка (0)

UF3C120040K4S, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247

UF3C120040K4S, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8013362975
Артикул
UF3C120040K4S
Бренд
Qorvo Inc.
Brand:
Qorvo/UnitedSiC
Series:
UF3C
Fall Time:
10 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 6 210 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET 1200 В/40 Мом, SiC, БЫСТРЫЙ КАСКОД, G3, TO-247-4L, ПОНИЖЕННЫЙ Rth

Технические параметры

Brand:Qorvo/UnitedSiC
Series:UF3C
Fall Time:10 ns
Packaging:Tube
Rise Time:27 ns
Tradename:SiC FET
Вес, г6.3
Technology:SiC
Channel TypeN Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Qorvo
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-4
Transistor Type:1 N-Channel
Power Dissipation429Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:51 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:429 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:24 ns
Typical Turn-Off Delay Time:50 ns
Id - Continuous Drain Current:65 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Drain Source On State Resistance0.035Ом
Rds On - Drain-Source Resistance:45 mOhms
Линейка ПродукцииPW Series
Количество Выводов4вывод(-ов)
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Непрерывный Ток Стока65А
Пороговое Напряжение Vgs5В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30
Напряжение Измерения Rds(on)12В
Напряжение Истока-стока Vds1.2кВ
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Конфигурация МОП-транзистораSingle
Пороговое напряжение на затворе3…5
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А65
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.035 Ом

Техническая документация