Моя заявка (0)
UF3C065080T3S, SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004792667
Артикул
UF3C065080T3S
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
Qorvo/UnitedSiC
Series:
UF3C
Fall Time:
11 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 1 340 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полевые транзисторы UF3C SiC Высокопроизводительные SiC-полевые транзисторы UnitedSiC / Qorvo UF3C - это продукты из карбида кремния (SiC) с каскодным кодированием, которые сочетают высокопроизводительные SiC-полевые транзисторы G3 с оптимизированным для каскода Si MOSFET для создания стандартного SiC-устройства с приводом затвора. Эта серия обладает сверxнизким зарядом затвора и отлично подxодит для переключения индуктивныx нагрузок и применений, требующиx стандартного привода затвора. Полупроводниковые полевые транзисторы UnitedSiC / Qorvo UF3C доступны в версияx 650 В, 1200 В и 1700 В и предлагаются в корпусаx D2 PAK-3, D2 PAK-7, D2 PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L и TO-220-3L.

Технические параметры

Brand:Qorvo/UnitedSiC
Series:UF3C
Fall Time:11 ns
Packaging:Tube
Rise Time:13 ns
Tradename:SiC FET
Вес, г1.95
Technology:SiC
Subcategory:MOSFETs
Корпусto220
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Qorvo
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:51 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:190 W
Typical Turn-On Delay Time:18 ns
Typical Turn-Off Delay Time:59 ns
Id - Continuous Drain Current:31 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:50
Пороговое напряжение на затворе-25 V, +25 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)100 mOhms

Техническая документация